IGBT雙單元晶體管中頻電源技術(shù)是我公司潛心研究的控制技術(shù)，處于國際**水準。這一技術(shù)是在英飛凌第五代IGBT模塊基礎(chǔ)上研發(fā)的，具有跨時代的意義。

IGBT雙單元晶體管中頻電源由于取消了可控硅逆變電路中的限流電感，被公認為是當(dāng)前比較節(jié)能的中頻爐技術(shù)，比可控硅串聯(lián)電路還節(jié)省5%的耗電量。

設(shè)備運行穩(wěn)定、保護可靠。華瑞的IGBT模塊中頻電爐，采用一個驅(qū)動板驅(qū)動一個模塊的方式，可靠性大大超過了以往的單管IGBT中頻電爐，即使發(fā)生爐體短路、打火、穿鋼、水電纜燒斷，IGBT都不會損壞，解決了以往同類單管IGBT模塊一炸炸一串的缺陷，很大程度降低了維修費用。

實用性方面，設(shè)備聲音小，皮實耐用，過載能力強，對使用環(huán)境沒有特殊要求、使用維修簡便、費用低。